Южнокорейские исследователи впервые количественно раскрыли механизм радиационной деградации полупроводников на основе арсенида галлия
Исследовательская группа по полупроводникам из Южной Кореи впервые в стране успешно количественно идентифицировала механизм деградации характеристик соединений полупроводников на основе арсенида галлия (GaAs) в условиях радиационного воздействия. Арсенид галлия рассматривается как важный материал для следующего поколения аэрокосмических, авиационных и оборонных систем, а полученные результаты способствуют пониманию влияния высокоэнергетического излучения на надёжность приборов на основе соединений полупроводников. Исследование возглавили профессор Ким Мин Су и профессор Хван Хён Джун с кафедры полупроводниковой инженерии, в сотрудничестве с Передовым центром радиационных исследований Корейского института атомной энергии и компанией WaveTrack. Исследовательская группа отметила, что коммуникационное и силовое оборудование, установленное на спутниках или зондах на низкой околоземной орбите, длительное время подвергается воздействию высокоэнергетического излучения, что может привести к...
2026-08-11
