Подготовка образцов методом FIB-SEM с галлиевыми ионами имеет предел повреждения; низкоэнергетическая очистка пучком ионов аргона используется для повышения качества образцов для ПЭМ
Сканирующий электронный микроскоп с фокусированным ионным пучком галлия (Ga⁺ FIB-SEM) стал важным методом приготовления точечных тонких образцов для просвечивающей электронной микроскопии/сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ/СПЭМ), позволяя выполнять резку, извлечение и утонение целевых областей на нанометровом уровне. Однако в литературе отмечается, что ионы галлия, обеспечивая высокоточную обработку, одновременно вызывают аморфизацию, ионную имплантацию и локальные химические изменения на поверхности образца, что влияет на последующие результаты высокоразрешающей визуализации и энергодисперсионного анализа. Согласно литературным данным, Ga⁺ FIB-SEM обычно позволяет проводить высокоразрешающую точечную обработку при 30 кэВ, но высокоэнергетические ионы галлия формируют повреждённый слой на боковых стенках образца. На примере кремниевых материалов...
2026-08-31
