Корейские исследователи раскрыли механизм деградации надёжности сегнетоэлектрических ИИ-полупроводников под воздействием нейтронного облучения
Национальный университет Чонбук (Южная Корея) 20-го числа объявил, что группа профессора Пэ Хак Ёля с кафедры электронной инженерии инженерного факультета совместно с группой профессора Ким Тхэ Вана из Сеульского национального университета и стартапом Q-Beam Solution, созданным при Корейском институте атомной энергии, провела исследование, в котором проанализировала причины деградации характеристик сегнетоэлектрических запоминающих устройств следующего поколения и нейроморфных полупроводниковых приборов в условиях нейтронного облучения. Результаты опубликованы в последнем номере журнала ACS Applied Electronic Materials. Сегнетоэлектрические полупроводники, способные сохранять поляризационное состояние после отключения питания, рассматриваются как важное перспективное направление для энергонезависимой памяти следующего поколения и нейроморфных вычислительных устройств. Нейроморфные вычисления пытаются реализовать хранение и вычисления одновременно в одном устройстве, имитируя работу синапсов человеческого мозга, что, как ожидается, позволит смягчить «бутылочное горлышко фон Неймана» в традиционных вычислительных архитектурах...
2026-08-20
